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讲座通知:发展InGaN基半导体绿光发射器件的材料挑战
发布时间:2009-05-26 20:51:00作者:   来源:    点击率:

     

(第23期)

Wuhan Optoelectronics Forum 23

发展InGaN基半导体绿光发射器件的材料挑战

Material Challenges for InGaN-based Green-Light Emitting Devices

报告人:美国亚利桑那州立大学物理系Fernandao A. Ponce教授

时间:2009531,下午15:00-16:30

地点:光电国家实验室A101


报告人简介

Fernando A. Ponce教授,现为美国亚利桑那州立大学物理系教授。他本科毕业于秘鲁国立中央工程大学物理专业,之后获得斯坦福大学材料科学与工博士学位。从1977年到1998年,他在施乐公司的Palo Alto Research Center工作,其间的1980年至1984年,他还在惠普公司的Hewlett-Packard Laboratories工作。1999年至今,他一直在亚利桑那州立大学物理系执教。2002年,他当选为美国物理学会会士。Fernando Ponce教授致力于半导体材料特别是光伏器件,发光器件以及探测器的物理研究,涉及光电材料的生长、高分辨透射电子显微镜分析及应用。他发表了200多篇文章和8个专利,其论文被引用5500多次,并参与编撰了9本专著。他是49个大型国际会议的委员会成员,并在其中的23个会议中担任主席,包括1999年秋季在美国召开的MRS会议主席、2004年在美国召开的第27International Conference on the Physics of Semiconductors主席,2008年在美国召开的7th International Symposium on Blue Lasers and Light Emitting Devices (ISBLLED-7)主席,2009年在中国召开的5th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS-2009)的主席等。他多年来一直积极投身于拉美地区的学术促进活动之中,还保持与中国同行密切的学术交流。

报告摘要:

过去二十多年来,可见光波段发光器件和激光二极管取得了许多令人欣喜的成就。现在红光和蓝光半导体激光器已经成功实现商业化了。但是人眼最敏感的绿光半导体激光器却一直难以实现,存在很多困难挑战。这主要与用于实现绿光激光器的InGaN半导体合金材料的物理性质有关。要成功实现绿光激光器,必须认识和控制InGaN半导体合金材料的三个重要物理性质:(1)晶格失配的弛豫,(2)热力学的不稳定性和(3)极化效应。这个报告将对InGaN半导体合金材料物理复杂性的认识进行一个综述,并将讨论获得高效率绿光发射器件的方法。


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